Wafer Fabrication ~ Pengertian, Tahap per-Tahap [Fabrikasi Semikonduktor IC]

Definisi

Fabrikasi semikonduktor merupakan proses yang digunakan untuk menciptakan chip (sirkuit terpadu) yang ada pada alat elektronik sehari-hari.

Proses fabrikasi IC

Wafer Fabrication

1. Pencucian wafer (Cleaning)

2. Oksidasi

3. Photolithography

4. Ion Implantation

5. Etching

1. PENCUCIAN WAFER (CLEANING)

Proses ini digunakan untuk menghilangkan kontaminasi, Sebelum melakukan pemrosesan atau antar pemrosesan wafer harus dicuci terlebih dahulu dengan menggunakan bahan kimia dan air yang bebas ion (deionized water -DIH2O). Tahap pencucian wafer diantaranya menghilangkan senyawa organik, menghilangkan senyawa anorganik dan menghilangkan oksida tipis yang tidak diinginkan.

2. OKSIDASI

Salah satu alasan mengapa silikon paling banyak dipilih sebagain bahan semikonduktor adalah karena silikon menawarkan berbagai kemudahan, antara lain kemudahan untuk membentuk lapisan insulator berkualitas tinggi di atas permukaannya melalui proses oksidasi.

Oksidasi adalah proses pembentukan lapisan Sio2 diatas permukaan wafer silikon. Oksidasi pada fabrikasi ini menggunakan metode temperatur tinggi.

Ada dua oksidasi thermal yang dilakukan, yaitu oksidasi basah dan oksidasi kering. Oksidasi basah dilakukan dengan mengalirkan gas oksigen murni ke dalam bubbler berisi DIH2O yang dididihkan, kemudian uap airnya dialirkan kedalam tungku yang berisi wafer yang akan dioksidasi. Oksidasi ini digunakan pada oksida medan (Field Oxide) untuk masker saat proses difusi.

3. PHOTOLITHOGRAPHY

Photolithography merupakan proses utama pada Wafer Fabrication, dimana pola mikroskopik yang telah didesain dipindahkan dari masker ke permukaan wafer dalam bentuk rangkaian nyata

diawali dengan memberilan lapisan photo resist (cairan kimia yang bersifat photosensitive) pada permukaan wafer.

kemudian pada silikon wafer yang sudah dilapisi photoresist tersebut diletakkan di atasnya masker / reticle berbentuk lempengan kaca transparan yang telah dipenuhi pola circuit (die) yang sejenis yang akan dibuat, lalu dipaparkan terhadap sinar UV sehingga lapisan photo resist pada permukaan wafer yang terekspos langsung sinar UV akan mudah dikelupas dengan bantuan cairan kimia khusus.

Maka pada permukaan wafer akan terlihat pola circuit seperti pola pada masker/reticle.

4. ION IMPLANTATION

Dalam proses pembuatan IC, tahapan ini merupakan tahapan yang memerlukan pengontrolan khusus.

Ion implantation ialah proses menanamkan atom impuritas (ion) ke dalam silikon wafer yang tidak tertutup oleh lapisan photoresist dengan bantuan tegangan listrik (untuk mengatur kedalaman penetrasi ion) dan arus listrik (untuk mengatur jumlah ion).

Atom impuritas itu sendiri berfungsi untuk mengubah sifat kelistrikan dari silikon wafer

5. ETCHING

Teknik yang dipakai adalah:

Wet Etching yaitu dengan menggunakan cairan kimia yang mampu menyebar ke segala arah dengan sama rata (isotropic) untuk meluruhkan lapisan SiO2 pada permukaan silikon wafer. 

Kelemahannya adalah bagian lapisan SiO2 yang berada tepat di bawah lapisan photoresist juga sebagian ada yang ikut luruh, sehingga akan menjadi masalah tersendiri jika jalur polanya sangat tipis.

Dry Etching yang menggunakan gas (flourine, chlorine dan bromine) yang memiliki efek Anisotropic yaitu kemampuan untuk meluruhkan dengan kecepatan penetrasi yang tidak sama rata.

Dari semua proses yang sudah dijelaskan di atas dan dikombinasikan dengan proses lainnya yang jumlahnya sangat banyak, salah satunya adalah Metallization (untuk menghubungkan semua komponen yang terkandung (resistor, kapasitor, transistor dll) sehingga membentuk rangkaian IC yang sesuai dengan desain yang sudah direncanakan), maka hasil akhirnya adalah sejumlah IC (die) yang masih menyatu pada sebuah silikon wafer.

6. WAFER TEST

Die-die yang dihasilkan pada proses wafer fabrication tidak 100% berfungsi dengan baik. Untuk mengetahui die mana saja yang rusak, diperlukan pengetesan awal.

Setiap jenis die yang diproduksi memiliki alat pengetesan tersendiri yang disebut probe card.

Silikon wafer yang akan dites kemudian dijepit pada alat penjepit yang terdapat pada Wafer Prober. Wafer Prober sepenuhnya dikendalikan oleh Tester, yang diprogram secara otomatis untuk menggerakan Probe Card guna melakukan pengetesan berbagai sifat kelistrikan pada setiap die yang terdapat pada permukaan silikon wafer kemudian menandai setiap die yang tidak berfungsi dengan baik (rusak).

7. PACKAGING

IC Silicon yang sudah berbentuk die perlu penanganan yang hati-hati karena mudah pecah walaupun sudah diberi lapisan pelindung khusus. Selain itu, bond pad-nya memiliki ukuran yang sangat kecil sehingga sangat sulit untuk dihubungkan dengan komponen lainnya pada sebuah rangkaian aplikasi elektronika. 

Untuk melindungi die tersebut dan untuk memudahkan penanganan serta penyambungan dengan komponen elektronika lainnya, maka diperlukan pengemasan/packaging.

8. FINAL TEST

Selama proses packaging ada kemungkinan die mengalami kerusakan atau proses packaging yang kurang sempurna. Pengujian akhir dilakukan terhadap semua IC yang sudah selesai dikemas dengan tujuan agar IC yang mengalami kerusakan selama proses packaging tidak ikut terkirim bersama-sama dengan IC yang bagus.

Metode pengujian akhir ini hampir sama dengan pengujian awal terhadap silikon wafer, bedanya IC yang sudah jadi tidak memerlukan lagi Wafer Prober tetapi menggunakan Handler.

Handler juga sepenuhnya dikendalikan oleh Tester guna melakukan pengetesan berbagai sifat kelistrikan pada setiap IC sekaligus memilah-milah kualitas dari masing-masing IC.